MTNN20N03Q8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTNN20N03Q8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2(0.4) W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30(60) V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8(0.115) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 116(9.3) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0155(3) Ohm

Encapsulados: SOP-8

 Búsqueda de reemplazo de MTNN20N03Q8 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MTNN20N03Q8 datasheet

 ..1. Size:304K  cystek
 mtnn20n03q8.pdf pdf_icon

MTNN20N03Q8

Spec. No. C805Q8 Issued Date 2009.12.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.03.21 Page No. 1/9 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N-CH 1 N-CH 2 MTNN20N03Q8 BVDSS 30V 60V ID 8A 0.115A RDSON(MAX) 20m 5 Description The MTNN20N03Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost

Otros transistores... MTNK3S3, MTNK3W3, MTNK3Y3, MTNK5C3, MTNK5N3, MTNK5S3, MTNK7S3, MTNN18N03Q8, IRF9640, MTNN8451KQ8, MTNN8452KQ8, MTNN8453KQ8, MTP1013C3, MTP1013S3, MTP1067C6, MTP1406J3, MTP1406L3