MTNN20N03Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTNN20N03Q8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2(0.4) W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30(60) V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8(0.115) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 116(9.3) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0155(3) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

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MTNN20N03Q8 Datasheet (PDF)

..1. Size:304K cystek
mtnn20n03q8.pdf

Spec. No. : C805Q8 Issued Date : 2009.12.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2011.03.21 Page No. : 1/9 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N-CH 1 N-CH 2 MTNN20N03Q8 BVDSS 30V 60VID 8A 0.115ARDSON(MAX) 20m 5 Description The MTNN20N03Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost

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Liste

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