MTNN20N03Q8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTNN20N03Q8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2(0.4) W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30(60) V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8(0.115) A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 16 ns
Выходная емкость (Cd): 116(9.3) pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0155(3) Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для MTNN20N03Q8
MTNN20N03Q8 Datasheet (PDF)
..1. Size:304K cystek
mtnn20n03q8.pdf
mtnn20n03q8.pdf
Spec. No. : C805Q8 Issued Date : 2009.12.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2011.03.21 Page No. : 1/9 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N-CH 1 N-CH 2 MTNN20N03Q8 BVDSS 30V 60VID 8A 0.115ARDSON(MAX) 20m 5 Description The MTNN20N03Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
