MTNN20N03Q8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTNN20N03Q8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2(0.4) W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30(60) V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8(0.115) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 116(9.3) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0155(3) Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для MTNN20N03Q8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTNN20N03Q8 даташит

 ..1. Size:304K  cystek
 mtnn20n03q8.pdf pdf_icon

MTNN20N03Q8

Spec. No. C805Q8 Issued Date 2009.12.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.03.21 Page No. 1/9 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N-CH 1 N-CH 2 MTNN20N03Q8 BVDSS 30V 60V ID 8A 0.115A RDSON(MAX) 20m 5 Description The MTNN20N03Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost

Другие IGBT... MTNK3S3, MTNK3W3, MTNK3Y3, MTNK5C3, MTNK5N3, MTNK5S3, MTNK7S3, MTNN18N03Q8, IRF9640, MTNN8451KQ8, MTNN8452KQ8, MTNN8453KQ8, MTP1013C3, MTP1013S3, MTP1067C6, MTP1406J3, MTP1406L3