MTNN8452KQ8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTNN8452KQ8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2(2) W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8(10.2) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 124(149) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

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MTNN8452KQ8 Datasheet (PDF)

..1. Size:351K cystek
mtnn8452kq8.pdf

Spec. No. : C559Q8 Issued Date : 2012.04.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.04.30 Page No. : 1/12 Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET FET1 FET 2MTNN8452KQ8 BVDSS 30V 30VID 8A 10.2ARDSON(TYP.)@VGS=10V 11m 11m RDSON(TYP.)@VGS=4.5V 18m 18m Description The MTNN8452KQ8 uses advanced trench technology to provide excellent R and low gate ch

7.1. Size:354K cystek
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Spec. No. : C558Q8 Issued Date : 2012.04.28 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.04.30 Page No. : 1/12 Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET FET1 FET 2MTNN8451KQ8 BVDSS 30V 30VID 6.8A 10.2ARDSON(TYP.)@VGS=10V 15m 11m RDSON(TYP.)@VGS=4.5V 23m 18m Description The MTNN8451KQ8 uses advanced trench technology to provide excellent R and low gate

7.2. Size:354K cystek
mtnn8453kq8.pdf

Spec. No. : C560Q8 Issued Date : 2012.04.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/12 Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET FET1 FET 2MTNN8453KQ8 BVDSS 30V 30VID 6.8A 8.9ARDSON(TYP.)@VGS=10V 15m 15m RDSON(TYP.)@VGS=4.5V 23m 23m Description The MTNN8453KQ8 uses advanced trench technology to provide excellent R and low gate charge. DS

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Liste

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