MTNN8452KQ8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTNN8452KQ8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2(2) W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8(10.2) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 124(149) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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MTNN8452KQ8 datasheet

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MTNN8452KQ8

Spec. No. C559Q8 Issued Date 2012.04.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.04.30 Page No. 1/12 Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET FET1 FET 2 MTNN8452KQ8 BVDSS 30V 30V ID 8A 10.2A RDSON(TYP.)@VGS=10V 11m 11m RDSON(TYP.)@VGS=4.5V 18m 18m Description The MTNN8452KQ8 uses advanced trench technology to provide excellent R and low gate ch

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MTNN8452KQ8

Spec. No. C558Q8 Issued Date 2012.04.28 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.04.30 Page No. 1/12 Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET FET1 FET 2 MTNN8451KQ8 BVDSS 30V 30V ID 6.8A 10.2A RDSON(TYP.)@VGS=10V 15m 11m RDSON(TYP.)@VGS=4.5V 23m 18m Description The MTNN8451KQ8 uses advanced trench technology to provide excellent R and low gate

 7.2. Size:354K  cystek
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MTNN8452KQ8

Spec. No. C560Q8 Issued Date 2012.04.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/12 Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET FET1 FET 2 MTNN8453KQ8 BVDSS 30V 30V ID 6.8A 8.9A RDSON(TYP.)@VGS=10V 15m 15m RDSON(TYP.)@VGS=4.5V 23m 23m Description The MTNN8453KQ8 uses advanced trench technology to provide excellent R and low gate charge. DS

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