Справочник MOSFET. MTNN8452KQ8

 

MTNN8452KQ8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTNN8452KQ8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2(2) W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8(10.2) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 124(149) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTNN8452KQ8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:351K  cystek
 mtnn8452kq8.pdf pdf_icon

MTNN8452KQ8

Spec. No. : C559Q8 Issued Date : 2012.04.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.04.30 Page No. : 1/12 Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET FET1 FET 2MTNN8452KQ8 BVDSS 30V 30VID 8A 10.2ARDSON(TYP.)@VGS=10V 11m 11m RDSON(TYP.)@VGS=4.5V 18m 18m Description The MTNN8452KQ8 uses advanced trench technology to provide excellent R and low gate ch

 7.1. Size:354K  cystek
 mtnn8451kq8.pdf pdf_icon

MTNN8452KQ8

Spec. No. : C558Q8 Issued Date : 2012.04.28 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.04.30 Page No. : 1/12 Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET FET1 FET 2MTNN8451KQ8 BVDSS 30V 30VID 6.8A 10.2ARDSON(TYP.)@VGS=10V 15m 11m RDSON(TYP.)@VGS=4.5V 23m 18m Description The MTNN8451KQ8 uses advanced trench technology to provide excellent R and low gate

 7.2. Size:354K  cystek
 mtnn8453kq8.pdf pdf_icon

MTNN8452KQ8

Spec. No. : C560Q8 Issued Date : 2012.04.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/12 Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET FET1 FET 2MTNN8453KQ8 BVDSS 30V 30VID 6.8A 8.9ARDSON(TYP.)@VGS=10V 15m 15m RDSON(TYP.)@VGS=4.5V 23m 23m Description The MTNN8453KQ8 uses advanced trench technology to provide excellent R and low gate charge. DS

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: FS10SM-10 | TSM1N45CW | 2SK3121

 

 
Back to Top

 


 
.