MTP162M3 Todos los transistores

 

MTP162M3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTP162M3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-89

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MTP162M3 Datasheet (PDF)

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MTP162M3
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Spec. No. : C420M3 Issued Date : 2007.10.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.08.12 Page No. : 1/8 30V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET MTP162M3 Features Single Drive Requirement Low On-resistance, RDS(ON)=80m@VGS=-4.5V, ID=-3.0A Ultra High Speed Switching Pb-free package Symbol Outline MTP162M3 SOT-89 D G D S GGate SSource

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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP16N25E/DDesigner's Data SheetMTP16N25ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS EFET is designed to withstand high16 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. The new energy250 VOLTSeffi

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