MTP162M3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTP162M3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-89
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTP162M3
MTP162M3 Datasheet (PDF)
mtp162m3.pdf
Spec. No. : C420M3 Issued Date : 2007.10.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.08.12 Page No. : 1/8 30V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET MTP162M3 Features Single Drive Requirement Low On-resistance, RDS(ON)=80m@VGS=-4.5V, ID=-3.0A Ultra High Speed Switching Pb-free package Symbol Outline MTP162M3 SOT-89 D G D S GGate SSource
mtp16n25erev0x.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP16N25E/DDesigner's Data SheetMTP16N25ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS EFET is designed to withstand high16 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. The new energy250 VOLTSeffi
mtp16n25e.pdf
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Liste
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