MTP162M3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP162M3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOT-89

Аналог (замена) для MTP162M3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP162M3 даташит

 ..1. Size:610K  cystek
 mtp162m3.pdf pdf_icon

MTP162M3

Spec. No. C420M3 Issued Date 2007.10.08 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.08.12 Page No. 1/8 30V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET MTP162M3 Features Single Drive Requirement Low On-resistance, RDS(ON)=80m @VGS=-4.5V, ID=-3.0A Ultra High Speed Switching Pb-free package Symbol Outline MTP162M3 SOT-89 D G D S G Gate S Source

 9.1. Size:222K  motorola
 mtp16n25erev0x.pdf pdf_icon

MTP162M3

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP16N25E/D Designer's Data Sheet MTP16N25E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced TMOS E FET is designed to withstand high 16 AMPERES energy in the avalanche and commutation modes. The new energy 250 VOLTS effi

 9.2. Size:193K  motorola
 mtp16n25e.pdf pdf_icon

MTP162M3

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP16N25E/D Designer's Data Sheet MTP16N25E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced TMOS E FET is designed to withstand high 16 AMPERES energy in the avalanche and commutation modes. The new energy 250 VOLTS effi

 9.3. Size:1383K  jiejie micro
 jmtp160p03d.pdf pdf_icon

MTP162M3

-30V, -11A, 16m P-channel Power Trench MOSFET JMTP160P03D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS -30 V Halogen-free; RoHS-compliant VGS(th)_Typ -1.7 V Pb-free plating ID(@VGS=10V) -11 A RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 12 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 16 mW Load Switch PWM Application

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTNN8452KQ8, MTNN8453KQ8, MTP1013C3, MTP1013S3, MTP1067C6, MTP1406J3, MTP1406L3, MTP1406M3, IRFP064N, MTP2010J3, MTP2071M3, MTP2301N3, MTP2301S3, MTP2303N3, MTP2305N3, MTP2311M3, MTP2311N3