MTP162M3
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTP162M3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 5
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 7
nC
trⓘ -
Время нарастания: 5
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 54
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05
Ohm
Тип корпуса:
SOT-89
Аналог (замена) для MTP162M3
MTP162M3
Datasheet (PDF)
..1. Size:610K cystek
mtp162m3.pdf Spec. No. : C420M3 Issued Date : 2007.10.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.08.12 Page No. : 1/8 30V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET MTP162M3 Features Single Drive Requirement Low On-resistance, RDS(ON)=80m@VGS=-4.5V, ID=-3.0A Ultra High Speed Switching Pb-free package Symbol Outline MTP162M3 SOT-89 D G D S GGate SSource
9.1. Size:222K motorola
mtp16n25erev0x.pdf MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP16N25E/DDesigner's Data SheetMTP16N25ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS EFET is designed to withstand high16 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. The new energy250 VOLTSeffi
9.2. Size:193K motorola
mtp16n25e.pdf MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP16N25E/DDesigner's Data SheetMTP16N25ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS EFET is designed to withstand high16 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. The new energy250 VOLTSeffi
Другие MOSFET... IRFP344
, IRFP350
, IRFP350A
, IRFP350FI
, IRFP350LC
, IRFP351
, IRFP352
, IRFP353
, 2SK3568
, IRFP360
, IRFP360LC
, IRFP3710
, IRFP430
, IRFP431
, IRFP432
, IRFP433
, IRFP440
.