MTP162M3 - аналоги и даташиты транзистора

 

MTP162M3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MTP162M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 7 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP162M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:610K  cystek
 mtp162m3.pdf pdf_icon

MTP162M3

Spec. No. : C420M3 Issued Date : 2007.10.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.08.12 Page No. : 1/8 30V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET MTP162M3 Features Single Drive Requirement Low On-resistance, RDS(ON)=80m@VGS=-4.5V, ID=-3.0A Ultra High Speed Switching Pb-free package Symbol Outline MTP162M3 SOT-89 D G D S GGate SSource

 9.1. Size:222K  motorola
 mtp16n25erev0x.pdf pdf_icon

MTP162M3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP16N25E/DDesigner's Data SheetMTP16N25ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS EFET is designed to withstand high16 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. The new energy250 VOLTSeffi

 9.2. Size:193K  motorola
 mtp16n25e.pdf pdf_icon

MTP162M3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP16N25E/DDesigner's Data SheetMTP16N25ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS EFET is designed to withstand high16 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. The new energy250 VOLTSeffi

 9.3. Size:1383K  jiejie micro
 jmtp160p03d.pdf pdf_icon

MTP162M3

-30V, -11A, 16m P-channel Power Trench MOSFETJMTP160P03DProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS -30 V Halogen-free; RoHS-compliantVGS(th)_Typ -1.7 V Pb-free platingID(@VGS=10V) -11 ARDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 12 mWApplications RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 16 mW Load Switch PWM Application

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTNN8452KQ8 , MTNN8453KQ8 , MTP1013C3 , MTP1013S3 , MTP1067C6 , MTP1406J3 , MTP1406L3 , MTP1406M3 , 5N50 , MTP2010J3 , MTP2071M3 , MTP2301N3 , MTP2301S3 , MTP2303N3 , MTP2305N3 , MTP2311M3 , MTP2311N3 .

 

 
Back to Top

 


 
.