MTP3413N3 Todos los transistores

 

MTP3413N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTP3413N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 103 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

 Búsqueda de reemplazo de MTP3413N3 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MTP3413N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:353K  cystek
 mtp3413n3.pdf pdf_icon

MTP3413N3

Spec. No. : C394N3 Issued Date : 2012.01.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.03.04 Page No. : 1/9 P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20VMTP3413N3 ID -4.9AVGS=-4.5V, ID=-4.3A 39m VGS=-2.5V, ID=-2.5ARDSON(TYP) 50m VGS=-1.8V, ID=-2A 65m Features 1.8V gate rated Advanced trench process technology High density cell desig

 8.1. Size:293K  cystek
 mtp3415kn3.pdf pdf_icon

MTP3413N3

Spec. No. : C589N3 Issued Date : 2010.11.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.07.11 Page No. : 1/ 9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20VID -4.4AVGS=-4.5V, ID=-4A MTP3415KN3 33m VGS=-2.5V, ID=-4A 42m RDSON(TYP) VGS=-1.8V, ID=-2A 52m Features ESD protected 3KVAdvanced trench process technology High density cell design for ultra lo

 9.1. Size:340K  cystek
 mtp3403n3.pdf pdf_icon

MTP3413N3

Spec. No. : C422N3 Issued Date : 2007.10.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.24 Page No. : 1/8 P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -30VMTP3403N3 ID -3.7ARDSON@VGS=-10V, ID=-3A 52m(typ)RDSON@VGS=-4.5V,ID=-2.6A 76m(typ)Features Low gate charge Compact and low profile SOT-23 package Advanced trench process technology High densit

 9.2. Size:392K  cystek
 mtp3403an3.pdf pdf_icon

MTP3413N3

Spec. No. : C387N3 Issued Date : 2007.06.13 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.11.29 Page No. : 1/7 P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET MTP3403AN3 Features V =-30V DS@V =-4.5V, I =-2A R =85m GS DSDS(ON)@V =-2.5V, I =-1A R =120m GS DSDS(ON) Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on resistance Low

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... MTP2603Q6 , MTP2611V8 , MTP2955L3 , MTP3001N3 , MTP3401N3 , MTP3403AN3 , MTP3403KN3 , MTP3403N3 , IRFB4227 , MTP3415KN3 , MTP3J15N3 , MTP3J15Y3 , MTP3LP01N3 , MTP3LP01S3 , MTP3LP01Y3 , MTP405CJ3 , MTP405J3 .

History: FQB19N20CTM | FTK1N60P

 

 
Back to Top

 


 
.