MTP3413N3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTP3413N3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
trⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 103 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
MTP3413N3 Datasheet (PDF)
mtp3413n3.pdf
Spec. No. : C394N3 Issued Date : 2012.01.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.03.04 Page No. : 1/9 P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20VMTP3413N3 ID -4.9AVGS=-4.5V, ID=-4.3A 39m VGS=-2.5V, ID=-2.5ARDSON(TYP) 50m VGS=-1.8V, ID=-2A 65m Features 1.8V gate rated Advanced trench process technology High density cell desig
mtp3415kn3.pdf
Spec. No. : C589N3 Issued Date : 2010.11.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.07.11 Page No. : 1/ 9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20VID -4.4AVGS=-4.5V, ID=-4A MTP3415KN3 33m VGS=-2.5V, ID=-4A 42m RDSON(TYP) VGS=-1.8V, ID=-2A 52m Features ESD protected 3KVAdvanced trench process technology High density cell design for ultra lo
mtp3403n3.pdf
Spec. No. : C422N3 Issued Date : 2007.10.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.24 Page No. : 1/8 P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -30VMTP3403N3 ID -3.7ARDSON@VGS=-10V, ID=-3A 52m(typ)RDSON@VGS=-4.5V,ID=-2.6A 76m(typ)Features Low gate charge Compact and low profile SOT-23 package Advanced trench process technology High densit
mtp3403an3.pdf
Spec. No. : C387N3 Issued Date : 2007.06.13 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.11.29 Page No. : 1/7 P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET MTP3403AN3 Features V =-30V DS@V =-4.5V, I =-2A R =85m GS DSDS(ON)@V =-2.5V, I =-1A R =120m GS DSDS(ON) Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on resistance Low
mtp3403kn3.pdf
Spec. No. : C865N3 Issued Date : 2012.08.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -30VMTP3403KN3 ID -3.3ARDS(ON)@VGS=-10V, ID=-2.5A 63m(typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-1.35A 100m(typ)RDS(ON)@VGS=-4V, ID=-1.35A 114m(typ)Features Advanced trench process technology High density cell design for ultra low
mtp3401n3.pdf
Spec. No. : C388N3 Issued Date : 2007.06.13 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2017.06.19 Page No. : 1/9 P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -30VMTP3401N3 ID@VGS=-10V, TA=25C -4.2A RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-4.2A 46m(typ)RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-4A 51m(typ)RDS(ON)@VGS=-2.5V, ID=-1A 59m(typ)Features Advanced trench process technology High density c
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
