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MTP4060J3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTP4060J3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 234 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTP4060J3

 

Principales características: MTP4060J3

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MTP4060J3

Spec. No. C563J3 Issued Date 2012.01.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.10.11 Page No. 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100V MTP4060J3 ID -27A 36m (typ.) RDSON@VGS=-10V, ID=-20A 41m (typ.) Features RDSON@VGS=-4.5V, ID=-18A Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free packag

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MTP4060J3

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MTP4060J3

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MTP4060J3

Spec. No. C386J3 Issued Date 2007.06.08 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.25 Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30V MTP405J3 ID -18A RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-18A 21m (typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-10A 33m (typ) Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free lead platin

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History: TF3410 | MTP4N90 | PSMN6R4-30MLD | ZVNL110ASTOB | PT9435 | ZVN3310FTA | IPA60R180P7S

 

 
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