MTP4060J3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTP4060J3  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 234 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm

Encapsulados: TO-252

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MTP4060J3 datasheet

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MTP4060J3

Spec. No. C563J3 Issued Date 2012.01.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.10.11 Page No. 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100V MTP4060J3 ID -27A 36m (typ.) RDSON@VGS=-10V, ID=-20A 41m (typ.) Features RDSON@VGS=-4.5V, ID=-18A Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free packag

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MTP4060J3

Spec. No. C386J3 Issued Date 2007.06.08 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.25 Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30V MTP405J3 ID -18A RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-18A 21m (typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-10A 33m (typ) Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free lead platin

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