MTP4060J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTP4060J3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 234 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTP4060J3

MTP4060J3 Datasheet (PDF)

..1. Size:319K cystek
mtp4060j3.pdf

Spec. No. : C563J3 Issued Date : 2012.01.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.10.11 Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100VMTP4060J3 ID -27A36m(typ.)RDSON@VGS=-10V, ID=-20A 41m(typ.)Features RDSON@VGS=-4.5V, ID=-18A Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free packag

9.1. Size:160K motorola
mtp40n10erev1.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP40N10E/DAdvance Data SheetMTP40N10ETMOS E-FET.Power Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS EFET is designed to withstand high40 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. The new energy100 VOLTSefficient design also offers a drain

9.2. Size:165K motorola
mtp40n10e.pdf

9.3. Size:257K cystek
mtp405j3.pdf

Spec. No. : C386J3 Issued Date : 2007.06.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.25 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTP405J3 ID -18ARDS(ON)@VGS=-10V, ID=-18A 21m(typ)RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-10A 33m(typ)Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free lead platin

9.4. Size:362K cystek
mtp405cj3.pdf

Spec. No. : C386J3 Issued Date : 2007.06.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.03.14 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTP405CJ3 ID -34ARDS(ON)@VGS=-10V, ID=-18A 21m(typ)RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-10A 33m(typ)Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free lead plat

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: