MTP4060J3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MTP4060J3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 234 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MTP4060J3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP4060J3 даташит

 ..1. Size:319K  cystek
 mtp4060j3.pdf pdf_icon

MTP4060J3

Spec. No. C563J3 Issued Date 2012.01.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.10.11 Page No. 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100V MTP4060J3 ID -27A 36m (typ.) RDSON@VGS=-10V, ID=-20A 41m (typ.) Features RDSON@VGS=-4.5V, ID=-18A Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free packag

 9.1. Size:160K  motorola
 mtp40n10erev1.pdf pdf_icon

MTP4060J3

 9.2. Size:165K  motorola
 mtp40n10e.pdf pdf_icon

MTP4060J3

 9.3. Size:257K  cystek
 mtp405j3.pdf pdf_icon

MTP4060J3

Spec. No. C386J3 Issued Date 2007.06.08 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.25 Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30V MTP405J3 ID -18A RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-18A 21m (typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-10A 33m (typ) Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free lead platin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTP3415KN3, MTP3J15N3, MTP3J15Y3, MTP3LP01N3, MTP3LP01S3, MTP3LP01Y3, MTP405CJ3, MTP405J3, IRF4905, MTP4151N3, MTP4403Q8, MTP4403SQ8, MTP4409H8, MTP4409Q8, MTP4411AQ8, MTP4411M3, MTP4411Q8