MTP4151N3 Todos los transistores

 

MTP4151N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTP4151N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.83 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

 Búsqueda de reemplazo de MTP4151N3 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MTP4151N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:304K  cystek
 mtp4151n3.pdf pdf_icon

MTP4151N3

Spec. No. : C565N3 Issued Date : 2012.07.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20VMTP4151N3 ID -830mARDSON@VGS=-4.5V, ID=-350mA 0.3(typ) RDSON@VGS=-2.5V, ID=-300mA 0.46(typ)RDSON@VGS=-1.8V, ID=-150mA 0.67(typ)Features Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circ

Otros transistores... MTP3J15N3 , MTP3J15Y3 , MTP3LP01N3 , MTP3LP01S3 , MTP3LP01Y3 , MTP405CJ3 , MTP405J3 , MTP4060J3 , 2N7000 , MTP4403Q8 , MTP4403SQ8 , MTP4409H8 , MTP4409Q8 , MTP4411AQ8 , MTP4411M3 , MTP4411Q8 , MTP4413Q8 .

History: AM1440N | QM3001D | MTP2311N3 | HM8N20I

 

 
Back to Top

 


 
.