MTP4151N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTP4151N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.83 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

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MTP4151N3 Datasheet (PDF)

..1. Size:304K cystek
mtp4151n3.pdf

Spec. No. : C565N3 Issued Date : 2012.07.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20VMTP4151N3 ID -830mARDSON@VGS=-4.5V, ID=-350mA 0.3(typ) RDSON@VGS=-2.5V, ID=-300mA 0.46(typ)RDSON@VGS=-1.8V, ID=-150mA 0.67(typ)Features Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circ

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Liste

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