MTP4151N3 Todos los transistores

 

MTP4151N3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTP4151N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.83 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

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Principales características: MTP4151N3

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MTP4151N3

Spec. No. C565N3 Issued Date 2012.07.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 8 -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20V MTP4151N3 ID -830mA RDSON@VGS=-4.5V, ID=-350mA 0.3 (typ) RDSON@VGS=-2.5V, ID=-300mA 0.46 (typ) RDSON@VGS=-1.8V, ID=-150mA 0.67 (typ) Features Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circ

Otros transistores... MTP3J15N3 , MTP3J15Y3 , MTP3LP01N3 , MTP3LP01S3 , MTP3LP01Y3 , MTP405CJ3 , MTP405J3 , MTP4060J3 , AON7408 , MTP4403Q8 , MTP4403SQ8 , MTP4409H8 , MTP4409Q8 , MTP4411AQ8 , MTP4411M3 , MTP4411Q8 , MTP4413Q8 .

History: AP4438CGM | PTP04N04N | INK0112AC1 | ZVN4206ASTOA | SST65R600S3 | SSM3310GH

 

 
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