MTP4151N3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTP4151N3  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.83 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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MTP4151N3 datasheet

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MTP4151N3

Spec. No. C565N3 Issued Date 2012.07.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 8 -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20V MTP4151N3 ID -830mA RDSON@VGS=-4.5V, ID=-350mA 0.3 (typ) RDSON@VGS=-2.5V, ID=-300mA 0.46 (typ) RDSON@VGS=-1.8V, ID=-150mA 0.67 (typ) Features Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circ

Otros transistores... MTP3J15N3, MTP3J15Y3, MTP3LP01N3, MTP3LP01S3, MTP3LP01Y3, MTP405CJ3, MTP405J3, MTP4060J3, 2N7000, MTP4403Q8, MTP4403SQ8, MTP4409H8, MTP4409Q8, MTP4411AQ8, MTP4411M3, MTP4411Q8, MTP4413Q8