MTP4151N3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MTP4151N3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.83 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 36 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
MTP4151N3 Datasheet (PDF)
mtp4151n3.pdf
Spec. No. C565N3 Issued Date 2012.07.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 8 -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20V MTP4151N3 ID -830mA RDSON@VGS=-4.5V, ID=-350mA 0.3 (typ) RDSON@VGS=-2.5V, ID=-300mA 0.46 (typ) RDSON@VGS=-1.8V, ID=-150mA 0.67 (typ) Features Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circ
Другие MOSFET... MTP3J15N3 , MTP3J15Y3 , MTP3LP01N3 , MTP3LP01S3 , MTP3LP01Y3 , MTP405CJ3 , MTP405J3 , MTP4060J3 , AON7408 , MTP4403Q8 , MTP4403SQ8 , MTP4409H8 , MTP4409Q8 , MTP4411AQ8 , MTP4411M3 , MTP4411Q8 , MTP4413Q8 .
History: SKS10N20 | INK0112AC1 | AP4438CGM | SSM3310GH | ZVN4206ASTOA | SST65R600S3 | PTP04N04N
History: SKS10N20 | INK0112AC1 | AP4438CGM | SSM3310GH | ZVN4206ASTOA | SST65R600S3 | PTP04N04N
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor


