MTP4151N3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MTP4151N3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.83 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 36 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MTP4151N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP4151N3 даташит

 ..1. Size:304K  cystek
 mtp4151n3.pdf pdf_icon

MTP4151N3

Spec. No. C565N3 Issued Date 2012.07.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 8 -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20V MTP4151N3 ID -830mA RDSON@VGS=-4.5V, ID=-350mA 0.3 (typ) RDSON@VGS=-2.5V, ID=-300mA 0.46 (typ) RDSON@VGS=-1.8V, ID=-150mA 0.67 (typ) Features Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circ

Другие IGBT... MTP3J15N3, MTP3J15Y3, MTP3LP01N3, MTP3LP01S3, MTP3LP01Y3, MTP405CJ3, MTP405J3, MTP4060J3, 2N7000, MTP4403Q8, MTP4403SQ8, MTP4409H8, MTP4409Q8, MTP4411AQ8, MTP4411M3, MTP4411Q8, MTP4413Q8