Справочник MOSFET. MTP4151N3

 

MTP4151N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP4151N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.83 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 36 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP4151N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:304K  cystek
 mtp4151n3.pdf pdf_icon

MTP4151N3

Spec. No. : C565N3 Issued Date : 2012.07.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20VMTP4151N3 ID -830mARDSON@VGS=-4.5V, ID=-350mA 0.3(typ) RDSON@VGS=-2.5V, ID=-300mA 0.46(typ)RDSON@VGS=-1.8V, ID=-150mA 0.67(typ)Features Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circ

Другие MOSFET... MTP3J15N3 , MTP3J15Y3 , MTP3LP01N3 , MTP3LP01S3 , MTP3LP01Y3 , MTP405CJ3 , MTP405J3 , MTP4060J3 , IRFP260 , MTP4403Q8 , MTP4403SQ8 , MTP4409H8 , MTP4409Q8 , MTP4411AQ8 , MTP4411M3 , MTP4411Q8 , MTP4413Q8 .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.