Справочник MOSFET. MTP4151N3

 

MTP4151N3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTP4151N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.83 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 36 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для MTP4151N3

 

 

MTP4151N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:304K  cystek
 mtp4151n3.pdf

MTP4151N3 MTP4151N3

Spec. No. : C565N3 Issued Date : 2012.07.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20VMTP4151N3 ID -830mARDSON@VGS=-4.5V, ID=-350mA 0.3(typ) RDSON@VGS=-2.5V, ID=-300mA 0.46(typ)RDSON@VGS=-1.8V, ID=-150mA 0.67(typ)Features Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top