MTP5103N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTP5103N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

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MTP5103N3 Datasheet (PDF)

..1. Size:359K cystek
mtp5103n3.pdf

Spec. No. : C400N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2011.11.28 Revised Date : 2017.06.23 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -30VID @TA=25C , VGS=-10V -4.5A MTP5103N3 41m VGS=-10V, ID=-4.5A RDSON(TYP) 60m VGS=-4.5V, ID=-3.5A Features Low gate charge Compact and low profile SOT-23 package Advanced trench process technolog

7.1. Size:302K cystek
mtp5103j3.pdf

Spec. No. : C400J3 Issued Date : 2012.02.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTP5103J3 ID -23A35m(typ.)RDSON@VGS=-10V, ID=-10A 57m(typ.)Features RDSON@VGS=-4.5V, ID=-5A Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free package

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Liste

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