Справочник MOSFET. MTP5103N3

 

MTP5103N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP5103N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для MTP5103N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP5103N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:359K  cystek
 mtp5103n3.pdf pdf_icon

MTP5103N3

Spec. No. : C400N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2011.11.28 Revised Date : 2017.06.23 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -30VID @TA=25C , VGS=-10V -4.5A MTP5103N3 41m VGS=-10V, ID=-4.5A RDSON(TYP) 60m VGS=-4.5V, ID=-3.5A Features Low gate charge Compact and low profile SOT-23 package Advanced trench process technolog

 7.1. Size:302K  cystek
 mtp5103j3.pdf pdf_icon

MTP5103N3

Spec. No. : C400J3 Issued Date : 2012.02.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTP5103J3 ID -23A35m(typ.)RDSON@VGS=-10V, ID=-10A 57m(typ.)Features RDSON@VGS=-4.5V, ID=-5A Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free package

Другие MOSFET... MTP4463Q8 , MTP452L3 , MTP452M3 , MTP4835AQ8 , MTP4835L3 , MTP4835Q8 , MTP4835V8 , MTP5103J3 , AON7506 , MTP5210F3 , MTP5614N6 , MTP6405N6 , MTP658G6 , MTP7425Q8 , MTP9006E3 , MTP9435BDYAQ8 , MTP9435BDYQ8 .

History: 2SJ297L | QS5U16 | SM2014NSKP | FQPF4N60 | 5HB03N8 | FDG313ND87Z | IRF7807D2PBF

 

 
Back to Top

 


 
.