MTP5210F3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTP5210F3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 234 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTP5210F3

MTP5210F3 Datasheet (PDF)

..1. Size:281K cystek
mtp5210f3.pdf

Spec. No. : C563F3 Issued Date : 2012.12.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100VMTP5210F3 ID -34A37m VGS=-10V, ID=-20A RDSON(TYP) 42m VGS=-4.5V, ID=-18A Features Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and R

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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP52N06V/DDesigner's Data SheetMTP52N06VTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETTMOS V is a new technology designed to achieve an onresis-52 AMPEREStance area product about onehalf that of standard MOSFETs. This60 VOLTS

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9.3. Size:240K motorola
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