Справочник MOSFET. MTP5210F3

 

MTP5210F3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTP5210F3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 148 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 234 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для MTP5210F3

 

 

MTP5210F3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:281K  cystek
mtp5210f3.pdf

MTP5210F3
MTP5210F3

Spec. No. : C563F3 Issued Date : 2012.12.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100VMTP5210F3 ID -34A37m VGS=-10V, ID=-20A RDSON(TYP) 42m VGS=-4.5V, ID=-18A Features Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and R

 9.1. Size:236K  motorola
mtp52n06v.pdf

MTP5210F3
MTP5210F3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP52N06V/DDesigner's Data SheetMTP52N06VTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETTMOS V is a new technology designed to achieve an onresis-52 AMPEREStance area product about onehalf that of standard MOSFETs. This60 VOLTS

 9.2. Size:166K  motorola
mtp52n06vlrev3.pdf

MTP5210F3
MTP5210F3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP52N06VL/DDesigner's Data SheetMTP52N06VLTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FET TMOS V is a new technology designed to achieve an onresis-52 AMPEREStance area product about onehalf that of standard MOSFETs. This60 VO

 9.3. Size:240K  motorola
mtp52n06vl.pdf

MTP5210F3
MTP5210F3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP52N06VL/DDesigner's Data SheetMTP52N06VLTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FET TMOS V is a new technology designed to achieve an onresis-52 AMPEREStance area product about onehalf that of standard MOSFETs. This60 VO

 9.4. Size:162K  motorola
mtp52n06vrev3.pdf

MTP5210F3
MTP5210F3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP52N06V/DDesigner's Data SheetMTP52N06VTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETTMOS V is a new technology designed to achieve an onresis-52 AMPEREStance area product about onehalf that of standard MOSFETs. This60 VOLTS

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top