Справочник MOSFET. MTP5210F3

 

MTP5210F3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP5210F3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 234 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP5210F3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:281K  cystek
 mtp5210f3.pdf pdf_icon

MTP5210F3

Spec. No. : C563F3 Issued Date : 2012.12.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100VMTP5210F3 ID -34A37m VGS=-10V, ID=-20A RDSON(TYP) 42m VGS=-4.5V, ID=-18A Features Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and R

 9.1. Size:236K  motorola
 mtp52n06v.pdf pdf_icon

MTP5210F3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP52N06V/DDesigner's Data SheetMTP52N06VTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETTMOS V is a new technology designed to achieve an onresis-52 AMPEREStance area product about onehalf that of standard MOSFETs. This60 VOLTS

 9.2. Size:166K  motorola
 mtp52n06vlrev3.pdf pdf_icon

MTP5210F3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP52N06VL/DDesigner's Data SheetMTP52N06VLTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FET TMOS V is a new technology designed to achieve an onresis-52 AMPEREStance area product about onehalf that of standard MOSFETs. This60 VO

 9.3. Size:240K  motorola
 mtp52n06vl.pdf pdf_icon

MTP5210F3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP52N06VL/DDesigner's Data SheetMTP52N06VLTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FET TMOS V is a new technology designed to achieve an onresis-52 AMPEREStance area product about onehalf that of standard MOSFETs. This60 VO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: JCS7N95FA | AOTF15S65 | XP161A1355PR-G | CRSS052N08N | PJF10NA60 | SIHFU9214 | SWN4N70D1

 

 
Back to Top

 


 
.