MTP5210F3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP5210F3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 234 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для MTP5210F3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP5210F3 даташит

 ..1. Size:281K  cystek
 mtp5210f3.pdf pdf_icon

MTP5210F3

Spec. No. C563F3 Issued Date 2012.12.25 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100V MTP5210F3 ID -34A 37m VGS=-10V, ID=-20A RDSON(TYP) 42m VGS=-4.5V, ID=-18A Features Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and R

 9.1. Size:236K  motorola
 mtp52n06v.pdf pdf_icon

MTP5210F3

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP52N06V/D Designer's Data Sheet MTP52N06V TMOS V Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET TMOS V is a new technology designed to achieve an on resis- 52 AMPERES tance area product about one half that of standard MOSFETs. This 60 VOLTS

 9.2. Size:166K  motorola
 mtp52n06vlrev3.pdf pdf_icon

MTP5210F3

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP52N06VL/D Designer's Data Sheet MTP52N06VL TMOS V Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET TMOS V is a new technology designed to achieve an on resis- 52 AMPERES tance area product about one half that of standard MOSFETs. This 60 VO

 9.3. Size:240K  motorola
 mtp52n06vl.pdf pdf_icon

MTP5210F3

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP52N06VL/D Designer's Data Sheet MTP52N06VL TMOS V Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET TMOS V is a new technology designed to achieve an on resis- 52 AMPERES tance area product about one half that of standard MOSFETs. This 60 VO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTP452L3, MTP452M3, MTP4835AQ8, MTP4835L3, MTP4835Q8, MTP4835V8, MTP5103J3, MTP5103N3, AON6380, MTP5614N6, MTP6405N6, MTP658G6, MTP7425Q8, MTP9006E3, MTP9435BDYAQ8, MTP9435BDYQ8, MTP9435L3