MTP5614N6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTP5614N6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.072 Ohm

Encapsulados: SOT-26

 Búsqueda de reemplazo de MTP5614N6 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MTP5614N6 datasheet

 ..1. Size:341K  cystek
 mtp5614n6.pdf pdf_icon

MTP5614N6

Spec. No. C733N6 Issued Date 2013.08.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.09.06 Page No. 1/8 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -60V ID -3.5A MTP5614N6 RDSON@VGS=-10V, ID=-3A 72m (typ.) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-2.7A 98m (typ.) Description The MTP5614N6 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast s

Otros transistores... MTP452M3, MTP4835AQ8, MTP4835L3, MTP4835Q8, MTP4835V8, MTP5103J3, MTP5103N3, MTP5210F3, IRF530, MTP6405N6, MTP658G6, MTP7425Q8, MTP9006E3, MTP9435BDYAQ8, MTP9435BDYQ8, MTP9435L3, MTP9435Q8