MTP5614N6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTP5614N6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.072 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-26

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MTP5614N6 Datasheet (PDF)

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mtp5614n6.pdf

Spec. No. : C733N6 Issued Date : 2013.08.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.09.06 Page No. : 1/8 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -60VID -3.5AMTP5614N6 RDSON@VGS=-10V, ID=-3A 72m(typ.) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-2.7A 98m(typ.) Description The MTP5614N6 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast s

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: