Справочник MOSFET. MTP5614N6

 

MTP5614N6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTP5614N6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm
   Тип корпуса: SOT-26

 Аналог (замена) для MTP5614N6

 

 

MTP5614N6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  cystek
 mtp5614n6.pdf

MTP5614N6 MTP5614N6

Spec. No. : C733N6 Issued Date : 2013.08.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.09.06 Page No. : 1/8 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -60VID -3.5AMTP5614N6 RDSON@VGS=-10V, ID=-3A 72m(typ.) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-2.7A 98m(typ.) Description The MTP5614N6 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast s

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top