MTP5614N6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP5614N6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm

Тип корпуса: SOT-26

Аналог (замена) для MTP5614N6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP5614N6 даташит

 ..1. Size:341K  cystek
 mtp5614n6.pdf pdf_icon

MTP5614N6

Spec. No. C733N6 Issued Date 2013.08.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.09.06 Page No. 1/8 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -60V ID -3.5A MTP5614N6 RDSON@VGS=-10V, ID=-3A 72m (typ.) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-2.7A 98m (typ.) Description The MTP5614N6 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast s

Другие IGBT... MTP452M3, MTP4835AQ8, MTP4835L3, MTP4835Q8, MTP4835V8, MTP5103J3, MTP5103N3, MTP5210F3, IRF530, MTP6405N6, MTP658G6, MTP7425Q8, MTP9006E3, MTP9435BDYAQ8, MTP9435BDYQ8, MTP9435L3, MTP9435Q8