Справочник MOSFET. MTP5614N6

 

MTP5614N6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTP5614N6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.6 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 14 nC
   Время нарастания (tr): 22 ns
   Выходная емкость (Cd): 48 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.072 Ohm
   Тип корпуса: SOT-26

 Аналог (замена) для MTP5614N6

 

 

MTP5614N6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  cystek
 mtp5614n6.pdf

MTP5614N6 MTP5614N6

Spec. No. : C733N6 Issued Date : 2013.08.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.09.06 Page No. : 1/8 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -60VID -3.5AMTP5614N6 RDSON@VGS=-10V, ID=-3A 72m(typ.) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-2.7A 98m(typ.) Description The MTP5614N6 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast s

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top