MTP6405N6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTP6405N6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 143 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: SOT-26

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MTP6405N6 datasheet

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MTP6405N6

Spec. No. C386N6 Issued Date 2013.08.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.09.06 Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30V MTP6405N6 ID -6.5A 24m (typ.) RDSON(MAX)@VGS=-10V, ID=-5A 34m (typ.) RDSON(MAX)@VGS=-4.5V, ID=-4A Description The MTP6405N6 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combi

Otros transistores... MTP4835AQ8, MTP4835L3, MTP4835Q8, MTP4835V8, MTP5103J3, MTP5103N3, MTP5210F3, MTP5614N6, CS150N03A8, MTP658G6, MTP7425Q8, MTP9006E3, MTP9435BDYAQ8, MTP9435BDYQ8, MTP9435L3, MTP9435Q8, MTP9575J3