MTP6405N6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTP6405N6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 143 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-26
Búsqueda de reemplazo de MTP6405N6 MOSFET
MTP6405N6 Datasheet (PDF)
mtp6405n6.pdf
Spec. No. : C386N6 Issued Date : 2013.08.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.09.06 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTP6405N6 ID -6.5A24m(typ.) RDSON(MAX)@VGS=-10V, ID=-5A 34m(typ.)RDSON(MAX)@VGS=-4.5V, ID=-4A Description The MTP6405N6 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combi
Otros transistores... MTP4835AQ8 , MTP4835L3 , MTP4835Q8 , MTP4835V8 , MTP5103J3 , MTP5103N3 , MTP5210F3 , MTP5614N6 , CS150N03A8 , MTP658G6 , MTP7425Q8 , MTP9006E3 , MTP9435BDYAQ8 , MTP9435BDYQ8 , MTP9435L3 , MTP9435Q8 , MTP9575J3 .
Liste
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