MTP6405N6 Todos los transistores

 

MTP6405N6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTP6405N6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 143 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-26
 

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MTP6405N6 Datasheet (PDF)

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MTP6405N6

Spec. No. : C386N6 Issued Date : 2013.08.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.09.06 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTP6405N6 ID -6.5A24m(typ.) RDSON(MAX)@VGS=-10V, ID=-5A 34m(typ.)RDSON(MAX)@VGS=-4.5V, ID=-4A Description The MTP6405N6 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combi

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History: IPT60R150G7

 

 
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