MTP6405N6 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MTP6405N6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
Тип корпуса: SOT-26
Аналог (замена) для MTP6405N6
MTP6405N6 Datasheet (PDF)
mtp6405n6.pdf
Spec. No. : C386N6 Issued Date : 2013.08.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.09.06 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTP6405N6 ID -6.5A24m(typ.) RDSON(MAX)@VGS=-10V, ID=-5A 34m(typ.)RDSON(MAX)@VGS=-4.5V, ID=-4A Description The MTP6405N6 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combi
Другие MOSFET... MTP4835AQ8 , MTP4835L3 , MTP4835Q8 , MTP4835V8 , MTP5103J3 , MTP5103N3 , MTP5210F3 , MTP5614N6 , CS150N03A8 , MTP658G6 , MTP7425Q8 , MTP9006E3 , MTP9435BDYAQ8 , MTP9435BDYQ8 , MTP9435L3 , MTP9435Q8 , MTP9575J3 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P26S | AGM40P26E | AGM40P26AP | AGM40P25AP | AGM40P25A | AGM40P150C | AGM40P13S | AGM40P100H | AGM40P100C | AGM40P100A | AGM409D | AGM409A | AGM408MN | AGM408M | AGM406Q | AGM610MN
Popular searches
2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406


