Справочник MOSFET. MTP6405N6

 

MTP6405N6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP6405N6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: SOT-26
 

 Аналог (замена) для MTP6405N6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP6405N6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:352K  cystek
 mtp6405n6.pdf pdf_icon

MTP6405N6

Spec. No. : C386N6 Issued Date : 2013.08.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.09.06 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTP6405N6 ID -6.5A24m(typ.) RDSON(MAX)@VGS=-10V, ID=-5A 34m(typ.)RDSON(MAX)@VGS=-4.5V, ID=-4A Description The MTP6405N6 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combi

Другие MOSFET... MTP4835AQ8 , MTP4835L3 , MTP4835Q8 , MTP4835V8 , MTP5103J3 , MTP5103N3 , MTP5210F3 , MTP5614N6 , IRLB4132 , MTP658G6 , MTP7425Q8 , MTP9006E3 , MTP9435BDYAQ8 , MTP9435BDYQ8 , MTP9435L3 , MTP9435Q8 , MTP9575J3 .

History: AP9926

 

 
Back to Top

 


 
.