MTP6405N6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP6405N6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: SOT-26

Аналог (замена) для MTP6405N6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP6405N6 даташит

 ..1. Size:352K  cystek
 mtp6405n6.pdf pdf_icon

MTP6405N6

Spec. No. C386N6 Issued Date 2013.08.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.09.06 Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30V MTP6405N6 ID -6.5A 24m (typ.) RDSON(MAX)@VGS=-10V, ID=-5A 34m (typ.) RDSON(MAX)@VGS=-4.5V, ID=-4A Description The MTP6405N6 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combi

Другие IGBT... MTP4835AQ8, MTP4835L3, MTP4835Q8, MTP4835V8, MTP5103J3, MTP5103N3, MTP5210F3, MTP5614N6, CS150N03A8, MTP658G6, MTP7425Q8, MTP9006E3, MTP9435BDYAQ8, MTP9435BDYQ8, MTP9435L3, MTP9435Q8, MTP9575J3