MTP658G6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTP658G6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

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MTP658G6 Datasheet (PDF)

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mtp658g6.pdf

Spec. No. : C400G6 Issued Date : 2012.12.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -30VID -5.2AMTP658G6 RDSON@VGS=-10V, ID=-5A 39m(typ.) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-3.7A 61m(typ.) RDSON@VGS=-4V, ID=-3A 69m(typ.) RDSON@VGS=-3V, ID=-1.5A 116m(typ.) Description The MTP658G6 is a P-channel enhancement-mode MOSFET

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: