MTP658G6 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MTP658G6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
Тип корпуса: TSOP-6
Аналог (замена) для MTP658G6
MTP658G6 Datasheet (PDF)
mtp658g6.pdf

Spec. No. : C400G6 Issued Date : 2012.12.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -30VID -5.2AMTP658G6 RDSON@VGS=-10V, ID=-5A 39m(typ.) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-3.7A 61m(typ.) RDSON@VGS=-4V, ID=-3A 69m(typ.) RDSON@VGS=-3V, ID=-1.5A 116m(typ.) Description The MTP658G6 is a P-channel enhancement-mode MOSFET
Другие MOSFET... MTP4835L3 , MTP4835Q8 , MTP4835V8 , MTP5103J3 , MTP5103N3 , MTP5210F3 , MTP5614N6 , MTP6405N6 , AON6380 , MTP7425Q8 , MTP9006E3 , MTP9435BDYAQ8 , MTP9435BDYQ8 , MTP9435L3 , MTP9435Q8 , MTP9575J3 , MTP9575L3 .
History: BLS65R380-D | BLS65R380-P | MTP2301S3 | PMZ350XN | RJK2076DPA | CEU840A | DH033N03I
History: BLS65R380-D | BLS65R380-P | MTP2301S3 | PMZ350XN | RJK2076DPA | CEU840A | DH033N03I



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406 | j201 datasheet