MTP658G6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP658G6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для MTP658G6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP658G6 даташит

 ..1. Size:346K  cystek
 mtp658g6.pdf pdf_icon

MTP658G6

Spec. No. C400G6 Issued Date 2012.12.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -30V ID -5.2A MTP658G6 RDSON@VGS=-10V, ID=-5A 39m (typ.) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-3.7A 61m (typ.) RDSON@VGS=-4V, ID=-3A 69m (typ.) RDSON@VGS=-3V, ID=-1.5A 116m (typ.) Description The MTP658G6 is a P-channel enhancement-mode MOSFET

Другие IGBT... MTP4835L3, MTP4835Q8, MTP4835V8, MTP5103J3, MTP5103N3, MTP5210F3, MTP5614N6, MTP6405N6, NCEP15T14, MTP7425Q8, MTP9006E3, MTP9435BDYAQ8, MTP9435BDYQ8, MTP9435L3, MTP9435Q8, MTP9575J3, MTP9575L3