Справочник MOSFET. MTP658G6

 

MTP658G6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP658G6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для MTP658G6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP658G6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:346K  cystek
 mtp658g6.pdf pdf_icon

MTP658G6

Spec. No. : C400G6 Issued Date : 2012.12.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -30VID -5.2AMTP658G6 RDSON@VGS=-10V, ID=-5A 39m(typ.) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-3.7A 61m(typ.) RDSON@VGS=-4V, ID=-3A 69m(typ.) RDSON@VGS=-3V, ID=-1.5A 116m(typ.) Description The MTP658G6 is a P-channel enhancement-mode MOSFET

Другие MOSFET... MTP4835L3 , MTP4835Q8 , MTP4835V8 , MTP5103J3 , MTP5103N3 , MTP5210F3 , MTP5614N6 , MTP6405N6 , IRFP450 , MTP7425Q8 , MTP9006E3 , MTP9435BDYAQ8 , MTP9435BDYQ8 , MTP9435L3 , MTP9435Q8 , MTP9575J3 , MTP9575L3 .

History: SI8487DB

 

 
Back to Top

 


 
.