MTP658G6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTP658G6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.6 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 10 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 85 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.039 Ohm
Тип корпуса: TSOP-6
MTP658G6 Datasheet (PDF)
..1. Size:346K cystek
mtp658g6.pdf
mtp658g6.pdf
Spec. No. : C400G6 Issued Date : 2012.12.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -30VID -5.2AMTP658G6 RDSON@VGS=-10V, ID=-5A 39m(typ.) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-3.7A 61m(typ.) RDSON@VGS=-4V, ID=-3A 69m(typ.) RDSON@VGS=-3V, ID=-1.5A 116m(typ.) Description The MTP658G6 is a P-channel enhancement-mode MOSFET
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
