MTP9006E3 Todos los transistores

 

MTP9006E3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTP9006E3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 69 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.089 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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MTP9006E3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  cystek
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MTP9006E3

Spec. No. : C733E3 Issued Date : 2010.07.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60VMTP9006E3 ID -10A95m Features RDSON(MAX) Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline TO-220 MTP9006E3 GGate DDrain SSource

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History: AP9971GH | PDC4801R | NCE65NF036T4 | TPCC8A01-H | P5003QVG | AP9575GH-HF | AP55T06GI-HF

 

 
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