MTP9006E3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP9006E3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.089 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для MTP9006E3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP9006E3 даташит

 ..1. Size:250K  cystek
 mtp9006e3.pdf pdf_icon

MTP9006E3

Spec. No. C733E3 Issued Date 2010.07.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60V MTP9006E3 ID -10A 95m Features RDSON(MAX) Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline TO-220 MTP9006E3 G Gate D Drain S Source

Другие IGBT... MTP4835V8, MTP5103J3, MTP5103N3, MTP5210F3, MTP5614N6, MTP6405N6, MTP658G6, MTP7425Q8, STP80NF70, MTP9435BDYAQ8, MTP9435BDYQ8, MTP9435L3, MTP9435Q8, MTP9575J3, MTP9575L3, MTP9575Q8, MTP9620Q8