MTP9006E3 - аналоги и даташиты транзистора

 

MTP9006E3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MTP9006E3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.089 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для MTP9006E3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP9006E3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  cystek
 mtp9006e3.pdf pdf_icon

MTP9006E3

Spec. No. : C733E3 Issued Date : 2010.07.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60VMTP9006E3 ID -10A95m Features RDSON(MAX) Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline TO-220 MTP9006E3 GGate DDrain SSource

Другие MOSFET... MTP4835V8 , MTP5103J3 , MTP5103N3 , MTP5210F3 , MTP5614N6 , MTP6405N6 , MTP658G6 , MTP7425Q8 , 18N50 , MTP9435BDYAQ8 , MTP9435BDYQ8 , MTP9435L3 , MTP9435Q8 , MTP9575J3 , MTP9575L3 , MTP9575Q8 , MTP9620Q8 .

History: IPB144N12N3G | NP88N055MLE

 

 
Back to Top

 


 
.