MTP9620Q8 Todos los transistores

 

MTP9620Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTP9620Q8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 264 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTP9620Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:304K  cystek
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MTP9620Q8

Spec. No. : C573Q8 Issued Date : 2012.06.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.06.26 Page No. : 1/8 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -20VMTP9620Q8 ID -10ARDSON@VGS=-4.5V, ID=-9.5A 20m(typ)RDSON@VGS=-2.5V,ID=-6A 26m(typ)RDSON@VGS=-1.8V,ID=-2A 35m(typ)Description The MTP9620Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer wi

 7.1. Size:381K  cystek
 mtp9620v8.pdf pdf_icon

MTP9620Q8

Spec. No. : C573V8 Issued Date : 2013.02.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.04.29 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -20VMTP9620V8 ID -32ARDSON@VGS=-4.5V, ID=-9.5A 20m(typ)RDSON@VGS=-2.5V,ID=-6A 26m(typ)RDSON@VGS=-1.8V,ID=-2A 35m(typ)Features RDSON@VGS=-1.5V,ID=-1A 38m(typ) Simple drive requirement Low on-resis

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF6665PBF | 2SK1988 | SRC7N65TF | SSW65R065SFD3 | PHB73N06T | IRHMK57260SE | NTB30N06L

 

 
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