MTP9620Q8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTP9620Q8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 264 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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MTP9620Q8 datasheet

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MTP9620Q8

Spec. No. C573Q8 Issued Date 2012.06.11 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.06.26 Page No. 1/8 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -20V MTP9620Q8 ID -10A RDSON@VGS=-4.5V, ID=-9.5A 20m (typ) RDSON@VGS=-2.5V,ID=-6A 26m (typ) RDSON@VGS=-1.8V,ID=-2A 35m (typ) Description The MTP9620Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer wi

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MTP9620Q8

Spec. No. C573V8 Issued Date 2013.02.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.04.29 Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -20V MTP9620V8 ID -32A RDSON@VGS=-4.5V, ID=-9.5A 20m (typ) RDSON@VGS=-2.5V,ID=-6A 26m (typ) RDSON@VGS=-1.8V,ID=-2A 35m (typ) Features RDSON@VGS=-1.5V,ID=-1A 38m (typ) Simple drive requirement Low on-resis

Otros transistores... MTP9006E3, MTP9435BDYAQ8, MTP9435BDYQ8, MTP9435L3, MTP9435Q8, MTP9575J3, MTP9575L3, MTP9575Q8, 2SK3568, MTP9620V8, MTS3572G6, AO3160, AO3162, AO3400A, AO3402, AO3403, AO3404