MTP9620Q8. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MTP9620Q8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 264 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для MTP9620Q8
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MTP9620Q8 даташит
mtp9620q8.pdf
Spec. No. C573Q8 Issued Date 2012.06.11 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.06.26 Page No. 1/8 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -20V MTP9620Q8 ID -10A RDSON@VGS=-4.5V, ID=-9.5A 20m (typ) RDSON@VGS=-2.5V,ID=-6A 26m (typ) RDSON@VGS=-1.8V,ID=-2A 35m (typ) Description The MTP9620Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer wi
mtp9620v8.pdf
Spec. No. C573V8 Issued Date 2013.02.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.04.29 Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -20V MTP9620V8 ID -32A RDSON@VGS=-4.5V, ID=-9.5A 20m (typ) RDSON@VGS=-2.5V,ID=-6A 26m (typ) RDSON@VGS=-1.8V,ID=-2A 35m (typ) Features RDSON@VGS=-1.5V,ID=-1A 38m (typ) Simple drive requirement Low on-resis
Другие IGBT... MTP9006E3, MTP9435BDYAQ8, MTP9435BDYQ8, MTP9435L3, MTP9435Q8, MTP9575J3, MTP9575L3, MTP9575Q8, 2SK3568, MTP9620V8, MTS3572G6, AO3160, AO3162, AO3400A, AO3402, AO3403, AO3404
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUP060N055 | AUP056N10 | AUP056N08BGL | AUP052N085 | AUP045N12 | AUP039N10 | AUP034N10 | AUP034N06 | AUP033N08BG | AUP026N085 | AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10
Popular searches
tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent


