MTP9620Q8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTP9620Q8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 28 nC
trⓘ - Время нарастания: 48 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 264 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
MTP9620Q8 Datasheet (PDF)
mtp9620q8.pdf
Spec. No. : C573Q8 Issued Date : 2012.06.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.06.26 Page No. : 1/8 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -20VMTP9620Q8 ID -10ARDSON@VGS=-4.5V, ID=-9.5A 20m(typ)RDSON@VGS=-2.5V,ID=-6A 26m(typ)RDSON@VGS=-1.8V,ID=-2A 35m(typ)Description The MTP9620Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer wi
mtp9620v8.pdf
Spec. No. : C573V8 Issued Date : 2013.02.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.04.29 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -20VMTP9620V8 ID -32ARDSON@VGS=-4.5V, ID=-9.5A 20m(typ)RDSON@VGS=-2.5V,ID=-6A 26m(typ)RDSON@VGS=-1.8V,ID=-2A 35m(typ)Features RDSON@VGS=-1.5V,ID=-1A 38m(typ) Simple drive requirement Low on-resis
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F