MTS3572G6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTS3572G6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60(20) V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20(12) V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3(4.3) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.1(12) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.5(103) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5(0.052) Ohm

Encapsulados: TSOP-6

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MTS3572G6 datasheet

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MTS3572G6

Spec. No. C778G6 Issued Date 2012.02.10 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.07.11 Page No. 1/9 N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET MTS3572G6 Description The MTS3572G6 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in a single TSOP-6 package, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device desig

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