MTS3572G6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTS3572G6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60(20) V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20(12) V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3(4.3) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 7.1(12) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.5(103) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5(0.052) Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

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MTS3572G6 Datasheet (PDF)

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mts3572g6.pdf

Spec. No. : C778G6 Issued Date : 2012.02.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.07.11 Page No. : 1/9 N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET MTS3572G6 Description The MTS3572G6 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in a single TSOP-6 package, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device desig

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Liste

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