Справочник MOSFET. MTS3572G6

 

MTS3572G6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTS3572G6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60(20) V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20(12) V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3(4.3) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7.1(12) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.5(103) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5(0.052) Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTS3572G6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  cystek
 mts3572g6.pdf pdf_icon

MTS3572G6

Spec. No. : C778G6 Issued Date : 2012.02.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.07.11 Page No. : 1/9 N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET MTS3572G6 Description The MTS3572G6 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in a single TSOP-6 package, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device desig

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: LND10R180 | TK30A06N1 | JFQM3N120E | TMP12N60A | AFP2301AS | IRLU3410PBF | TMB140N10A

 

 
Back to Top

 


 
.