MTS3572G6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTS3572G6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60(20) V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20(12) V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3(4.3) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.1(12) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5.5(103) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5(0.052) Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для MTS3572G6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTS3572G6 даташит

 ..1. Size:267K  cystek
 mts3572g6.pdf pdf_icon

MTS3572G6

Spec. No. C778G6 Issued Date 2012.02.10 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.07.11 Page No. 1/9 N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET MTS3572G6 Description The MTS3572G6 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in a single TSOP-6 package, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device desig

Другие IGBT... MTP9435BDYQ8, MTP9435L3, MTP9435Q8, MTP9575J3, MTP9575L3, MTP9575Q8, MTP9620Q8, MTP9620V8, 5N60, AO3160, AO3162, AO3400A, AO3402, AO3403, AO3404, AO3404A, AO3406