MTS3572G6 - аналоги и даташиты транзистора

 

MTS3572G6 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MTS3572G6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60(20) V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20(12) V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3(4.3) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.1(12) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.5(103) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5(0.052) Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для MTS3572G6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTS3572G6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  cystek
 mts3572g6.pdf pdf_icon

MTS3572G6

Spec. No. : C778G6 Issued Date : 2012.02.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.07.11 Page No. : 1/9 N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET MTS3572G6 Description The MTS3572G6 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in a single TSOP-6 package, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device desig

Другие MOSFET... MTP9435BDYQ8 , MTP9435L3 , MTP9435Q8 , MTP9575J3 , MTP9575L3 , MTP9575Q8 , MTP9620Q8 , MTP9620V8 , 10N65 , AO3160 , AO3162 , AO3400A , AO3402 , AO3403 , AO3404 , AO3404A , AO3406 .

History: NCE65T260K | RFP12N10 | RFP2N10

 

 
Back to Top

 


 
.