AO3162 Todos los transistores

 

AO3162 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AO3162
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.034 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 0.45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 500 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de AO3162 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AO3162 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  aosemi
 ao3162.pdf pdf_icon

AO3162

AO3162600V,0.034A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AO3162 is fabricated using an advanced high voltageMOSFET process that is designed to deliver high levels VDS 700V@150of performance and robustness in popular AC-DC ID (at VGS=10V) 0.034Aapplications. RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:550K  aosemi
 ao3160e.pdf pdf_icon

AO3162

AO3160E600V,0.04A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary Logic Level Driving 4.5V VDS @ Tj,max 700V ESD Protection ID (at VGS=10V) 0.04A RoHS and Halogen Free Compliant RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:251K  aosemi
 ao3160.pdf pdf_icon

AO3162

AO3160600V,0.04A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AO3160 is fabricated using an advanced high voltageMOSFET process that is designed to deliver high levels VDS 700V@150of performance and robustness in popular AC-DC ID (at VGS=10V) 0.04Aapplications. RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... MTP9435Q8 , MTP9575J3 , MTP9575L3 , MTP9575Q8 , MTP9620Q8 , MTP9620V8 , MTS3572G6 , AO3160 , IRFZ46N , AO3400A , AO3402 , AO3403 , AO3404 , AO3404A , AO3406 , AO3407A , AO3409 .

History: C3M0065100K | STP12NK80Z | VBE165R07

 

 
Back to Top

 


 
.