AO3162. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AO3162

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.034 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 0.45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 500 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AO3162

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO3162 даташит

 ..1. Size:256K  aosemi
 ao3162.pdf pdf_icon

AO3162

AO3162 600V,0.034A N-Channel MOSFET General Description Product Summary The AO3162 is fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels VDS 700V@150 of performance and robustness in popular AC-DC ID (at VGS=10V) 0.034A applications. RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:550K  aosemi
 ao3160e.pdf pdf_icon

AO3162

AO3160E 600V,0.04A N-Channel MOSFET General Description Product Summary Logic Level Driving 4.5V VDS @ Tj,max 700V ESD Protection ID (at VGS=10V) 0.04A RoHS and Halogen Free Compliant RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:251K  aosemi
 ao3160.pdf pdf_icon

AO3162

AO3160 600V,0.04A N-Channel MOSFET General Description Product Summary The AO3160 is fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels VDS 700V@150 of performance and robustness in popular AC-DC ID (at VGS=10V) 0.04A applications. RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... MTP9435Q8, MTP9575J3, MTP9575L3, MTP9575Q8, MTP9620Q8, MTP9620V8, MTS3572G6, AO3160, SI2302, AO3400A, AO3402, AO3403, AO3404, AO3404A, AO3406, AO3407A, AO3409