Справочник MOSFET. AO3162

 

AO3162 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO3162
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.034 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 0.45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 500 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AO3162

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO3162 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  aosemi
 ao3162.pdf pdf_icon

AO3162

AO3162600V,0.034A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AO3162 is fabricated using an advanced high voltageMOSFET process that is designed to deliver high levels VDS 700V@150of performance and robustness in popular AC-DC ID (at VGS=10V) 0.034Aapplications. RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:550K  aosemi
 ao3160e.pdf pdf_icon

AO3162

AO3160E600V,0.04A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary Logic Level Driving 4.5V VDS @ Tj,max 700V ESD Protection ID (at VGS=10V) 0.04A RoHS and Halogen Free Compliant RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:251K  aosemi
 ao3160.pdf pdf_icon

AO3162

AO3160600V,0.04A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AO3160 is fabricated using an advanced high voltageMOSFET process that is designed to deliver high levels VDS 700V@150of performance and robustness in popular AC-DC ID (at VGS=10V) 0.04Aapplications. RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... MTP9435Q8 , MTP9575J3 , MTP9575L3 , MTP9575Q8 , MTP9620Q8 , MTP9620V8 , MTS3572G6 , AO3160 , IRFZ46N , AO3400A , AO3402 , AO3403 , AO3404 , AO3404A , AO3406 , AO3407A , AO3409 .

History: NCEP020N30BQU | CES2312 | PHP174NQ04LT

 

 
Back to Top

 


 
.