AO3421E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO3421E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm

Encapsulados: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de AO3421E MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AO3421E datasheet

 ..1. Size:309K  aosemi
ao3421e.pdf pdf_icon

AO3421E

AO3421E 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS The AO3421E combines advanced trench MOSFET -30V technology with a low resistance package to provide ID (at VGS=-10V) -3A extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=-10V)

 ..2. Size:1703K  kexin
ao3421e.pdf pdf_icon

AO3421E

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET AO3421E (KO3421E) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features VDS (V) =-30V ID =-3 A (VGS =-10V) 1 2 RDS(ON) 95m (VGS =-10V) +0.1 0.95-0.1 0.1+0.05 -0.01 RDS(ON) 160m (VGS =-4.5V) +0.1 1.9-0.1 1. Gate D 2. Source 3. Drain G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating

 ..3. Size:866K  cn vbsemi
ao3421e.pdf pdf_icon

AO3421E

AO3421E www.VBsemi.tw P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested VDS (V) RDS(on) ( ) Typ. ID (A)a Qg (Typ.) 0.046 at VGS = - 10 V - 5.6 0.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC - 30 APPLICATIONS 0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch S TO-236 - DC/DC Converter (SOT-23)

 0.1. Size:1856K  kexin
ao3421e-3.pdf pdf_icon

AO3421E

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET AO3421E (KO3421E) SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features VDS (V) =-30V ID =-3 A (VGS =-10V) 1 2 RDS(ON) 95m (VGS =-10V) +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95 -0.1 +0.1 1.9 -0.2 RDS(ON) 160m (VGS =-4.5V) 1. Gate D 2. Source 3. Drain G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol R

Otros transistores... AO3414, AO3415, AO3415A, AO3416, AO3418, AO3419, AO3420, AO3421, IRFZ46N, AO3422, AO3423, AO3424, AO3434, AO3434A, AO3435, AO3438, AO3442