Справочник MOSFET. AO3421E

 

AO3421E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO3421E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AO3421E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO3421E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:309K  aosemi
 ao3421e.pdf pdf_icon

AO3421E

AO3421E30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AO3421E combines advanced trench MOSFET -30Vtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=-10V) -3Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=-10V)

 ..2. Size:1703K  kexin
 ao3421e.pdf pdf_icon

AO3421E

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO3421E (KO3421E)SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-30V ID =-3 A (VGS =-10V)1 2 RDS(ON) 95m (VGS =-10V)+0.10.95-0.1 0.1+0.05-0.01 RDS(ON) 160m (VGS =-4.5V) +0.11.9-0.11. GateD 2. Source3. DrainGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating

 ..3. Size:866K  cn vbsemi
 ao3421e.pdf pdf_icon

AO3421E

AO3421Ewww.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SOT-23)

 0.1. Size:1856K  kexin
 ao3421e-3.pdf pdf_icon

AO3421E

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO3421E (KO3421E)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-30V ID =-3 A (VGS =-10V)1 2 RDS(ON) 95m (VGS =-10V)+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.2 RDS(ON) 160m (VGS =-4.5V)1. GateD 2. Source3. DrainGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AO3414 , AO3415 , AO3415A , AO3416 , AO3418 , AO3419 , AO3420 , AO3421 , STP65NF06 , AO3422 , AO3423 , AO3424 , AO3434 , AO3434A , AO3435 , AO3438 , AO3442 .

History: HGN024N06SL | TSJ10N10AT | H7N1004LM | SUD23N06-31 | NCE0160AG | NCE0224AF

 

 
Back to Top

 


 
.