AO3460 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AO3460
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de AO3460 MOSFET
AO3460 Datasheet (PDF)
ao3460.pdf

AO346060V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AO3460 uses advanced trench technology to VDS (V) = 60Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge, and ID = 0.65A (VGS = 10V)operation with gate voltages as low as 4.5V, in the RDS(ON)
ao3460.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO3460 (KO3460)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.10.4+0.1-0.13 Features VDS (V) = 60V ID = 0.65 A (VGS = 10V)1 2 RDS(ON) 1.7 (VGS = 10V)+0.1+0.050.95 -0.1 0.1-0.01 RDS(ON) 2 (VGS = 4.5V) +0.11.9-0.11. GateD2. Source3. DrainG SS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Ratin
ao3460-3.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO3460 (KO3460)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) = 60V ID = 0.65 A (VGS = 10V)1 2 RDS(ON) 1.7 (VGS = 10V)+0.02+0.10.15 -0.020.95-0.1+0.1 RDS(ON) 2 (VGS = 4.5V) 1.9-0.21. Gate2. SourceD3. DrainG SS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol
Otros transistores... AO3422 , AO3423 , AO3424 , AO3434 , AO3434A , AO3435 , AO3438 , AO3442 , 2N7002 , AO4202 , AO4240 , AO4260 , AO4264 , AO4266 , AO4286 , AO4292 , AO4302 .



Liste
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