AO3460 Todos los transistores

 

AO3460 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AO3460
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.7 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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AO3460 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  aosemi
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AO3460

AO346060V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AO3460 uses advanced trench technology to VDS (V) = 60Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge, and ID = 0.65A (VGS = 10V)operation with gate voltages as low as 4.5V, in the RDS(ON)

 ..2. Size:1442K  kexin
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AO3460

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO3460 (KO3460)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.10.4+0.1-0.13 Features VDS (V) = 60V ID = 0.65 A (VGS = 10V)1 2 RDS(ON) 1.7 (VGS = 10V)+0.1+0.050.95 -0.1 0.1-0.01 RDS(ON) 2 (VGS = 4.5V) +0.11.9-0.11. GateD2. Source3. DrainG SS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Ratin

 0.1. Size:1587K  kexin
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AO3460

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO3460 (KO3460)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) = 60V ID = 0.65 A (VGS = 10V)1 2 RDS(ON) 1.7 (VGS = 10V)+0.02+0.10.15 -0.020.95-0.1+0.1 RDS(ON) 2 (VGS = 4.5V) 1.9-0.21. Gate2. SourceD3. DrainG SS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AO4202 | AUIRLR2703TR

 

 
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