AO3460 Todos los transistores

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AO3460 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO3460

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.4 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1.7 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 2.8 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 6 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.7 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT23-3

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AO3460 Datasheet (PDF)

1.1. ao3460.pdf Size:195K _aosemi

AO3460
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AO3460 60V N-Channel MOSFET General Description Product Summary The AO3460 uses advanced trench technology to VDS (V) = 60V provide excellent RDS(ON), low gate charge, and ID = 0.65A (VGS = 10V) operation with gate voltages as low as 4.5V, in the RDS(ON) < 1.7Ω (VGS = 10V) small SOT-23 footprint. It can be used for a wide RDS(ON) < 2Ω (VGS = 4.5V) variety of applications, includi

1.2. ao3460.pdf Size:1442K _kexin

AO3460
AO3460

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET AO3460 (KO3460) SOT-23 Unit: mm +0.1 2.9 -0.1 0.4+0.1 -0.1 3 ■ Features ● VDS (V) = 60V ● ID = 0.65 A (VGS = 10V) 1 2 ● RDS(ON) < 1.7Ω (VGS = 10V) +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1-0.01 ● RDS(ON) < 2Ω (VGS = 4.5V) +0.1 1.9-0.1 1. Gate D 2. Source 3. Drain G S S ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃ Parameter Symbol Ratin

 1.3. ao3460-3.pdf Size:1587K _kexin

AO3460
AO3460

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET AO3460 (KO3460) SOT-23-3 Unit: mm +0.2 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 ■ Features ● VDS (V) = 60V ● ID = 0.65 A (VGS = 10V) 1 2 ● RDS(ON) < 1.7Ω (VGS = 10V) +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95-0.1 +0.1 ● RDS(ON) < 2Ω (VGS = 4.5V) 1.9-0.2 1. Gate 2. Source D 3. Drain G S S ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃ Parameter Symbol

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