Справочник MOSFET. AO3460

 

AO3460 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO3460
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AO3460

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO3460 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  aosemi
ao3460.pdfpdf_icon

AO3460

AO346060V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AO3460 uses advanced trench technology to VDS (V) = 60Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge, and ID = 0.65A (VGS = 10V)operation with gate voltages as low as 4.5V, in the RDS(ON)

 ..2. Size:1442K  kexin
ao3460.pdfpdf_icon

AO3460

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO3460 (KO3460)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.10.4+0.1-0.13 Features VDS (V) = 60V ID = 0.65 A (VGS = 10V)1 2 RDS(ON) 1.7 (VGS = 10V)+0.1+0.050.95 -0.1 0.1-0.01 RDS(ON) 2 (VGS = 4.5V) +0.11.9-0.11. GateD2. Source3. DrainG SS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Ratin

 0.1. Size:1587K  kexin
ao3460-3.pdfpdf_icon

AO3460

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO3460 (KO3460)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) = 60V ID = 0.65 A (VGS = 10V)1 2 RDS(ON) 1.7 (VGS = 10V)+0.02+0.10.15 -0.020.95-0.1+0.1 RDS(ON) 2 (VGS = 4.5V) 1.9-0.21. Gate2. SourceD3. DrainG SS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol

Другие MOSFET... AO3422 , AO3423 , AO3424 , AO3434 , AO3434A , AO3435 , AO3438 , AO3442 , 2N7002 , AO4202 , AO4240 , AO4260 , AO4264 , AO4266 , AO4286 , AO4292 , AO4302 .

History: ATP218

 

 
Back to Top

 


 
.