AO3460 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AO3460
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.7 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 2.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm
Тип корпуса: SOT23
AO3460 Datasheet (PDF)
ao3460.pdf
AO346060V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AO3460 uses advanced trench technology to VDS (V) = 60Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge, and ID = 0.65A (VGS = 10V)operation with gate voltages as low as 4.5V, in the RDS(ON)
ao3460.pdf
SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO3460 (KO3460)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.10.4+0.1-0.13 Features VDS (V) = 60V ID = 0.65 A (VGS = 10V)1 2 RDS(ON) 1.7 (VGS = 10V)+0.1+0.050.95 -0.1 0.1-0.01 RDS(ON) 2 (VGS = 4.5V) +0.11.9-0.11. GateD2. Source3. DrainG SS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Ratin
ao3460-3.pdf
SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO3460 (KO3460)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) = 60V ID = 0.65 A (VGS = 10V)1 2 RDS(ON) 1.7 (VGS = 10V)+0.02+0.10.15 -0.020.95-0.1+0.1 RDS(ON) 2 (VGS = 4.5V) 1.9-0.21. Gate2. SourceD3. DrainG SS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918