AO4286 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO4286

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.068 Ohm

Encapsulados: SO-8

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AO4286 datasheet

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AO4286

AO4286 100V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 100V The AO4286 uses trench MOSFET technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 4A frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON) (at VGS=10V)

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AO4286

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET AO4286 (KO4286) SOP-8 Features VDS (V) = 100V ID = 4 A (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 68m (VGS = 10V) RDS(ON) 92m (VGS = 4.5V) 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate D G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Ga

Otros transistores... AO3438, AO3442, AO3460, AO4202, AO4240, AO4260, AO4264, AO4266, IRF730, AO4292, AO4302, AO4304, AO4310, AO4312, AO4314, AO4354, AO4402