AO4286 Todos los transistores

 

AO4286 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AO4286
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.9 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.068 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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AO4286 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:329K  aosemi
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AO4286

AO4286100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS100VThe AO4286 uses trench MOSFET technology that isuniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 4Afrequency switching performance. Both conduction and RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:2106K  kexin
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AO4286

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO4286 (KO4286)SOP-8 Features VDS (V) = 100V ID = 4 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 68m (VGS = 10V) RDS(ON) 92m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateD G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 100V Ga

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
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