AO4286 Todos los transistores

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AO4286 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO4286

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.9 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 2.5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 30 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.068 Ohm

Empaquetado / Estuche: SO-8

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AO4286 Datasheet (PDF)

1.1. ao4286.pdf Size:329K _aosemi

AO4286
AO4286

AO4286 100V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 100V The AO4286 uses trench MOSFET technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 4A frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON) (at VGS=10V) < 68mΩ switching power losses are minimized due to an RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 92mΩ extremely low combination

1.2. ao4286.pdf Size:2106K _kexin

AO4286
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SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET AO4286 (KO4286) SOP-8 ■ Features ● VDS (V) = 100V ● ID = 4 A (VGS = 10V) 1.50 0.15 ● RDS(ON) < 68mΩ (VGS = 10V) ● RDS(ON) < 92mΩ (VGS = 4.5V) 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate D G S ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃ Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Ga

 

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