Справочник MOSFET. AO4286

 

AO4286 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO4286
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4286 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:329K  aosemi
 ao4286.pdf pdf_icon

AO4286

AO4286100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS100VThe AO4286 uses trench MOSFET technology that isuniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 4Afrequency switching performance. Both conduction and RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:2106K  kexin
 ao4286.pdf pdf_icon

AO4286

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO4286 (KO4286)SOP-8 Features VDS (V) = 100V ID = 4 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 68m (VGS = 10V) RDS(ON) 92m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateD G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 100V Ga

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: NVJS3151P | FDG6320C | NCEAP016N10LL | STB10NK60ZT4 | SI7413DN | BUK455-100B | SSF65R420S2

 

 
Back to Top

 


 
.