AO4286. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AO4286

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AO4286

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4286 даташит

 ..1. Size:329K  aosemi
 ao4286.pdf pdf_icon

AO4286

AO4286 100V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 100V The AO4286 uses trench MOSFET technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 4A frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:2106K  kexin
 ao4286.pdf pdf_icon

AO4286

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET AO4286 (KO4286) SOP-8 Features VDS (V) = 100V ID = 4 A (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 68m (VGS = 10V) RDS(ON) 92m (VGS = 4.5V) 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate D G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Ga

Другие IGBT... AO3438, AO3442, AO3460, AO4202, AO4240, AO4260, AO4264, AO4266, IRF730, AO4292, AO4302, AO4304, AO4310, AO4312, AO4314, AO4354, AO4402