AO4286 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AO4286
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.9 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2.8 nC
trⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm
Тип корпуса: SO-8
AO4286 Datasheet (PDF)
ao4286.pdf
AO4286100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS100VThe AO4286 uses trench MOSFET technology that isuniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 4Afrequency switching performance. Both conduction and RDS(ON) (at VGS=10V)
ao4286.pdf
SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO4286 (KO4286)SOP-8 Features VDS (V) = 100V ID = 4 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 68m (VGS = 10V) RDS(ON) 92m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateD G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 100V Ga
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918