FSL923AOD Todos los transistores

 

FSL923AOD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FSL923AOD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.67 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO205AF
 

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FSL923AOD Datasheet (PDF)

 6.1. Size:47K  harris semi
 fsl923ao.pdf pdf_icon

FSL923AOD

FSL923AOD,S E M I C O N D U C T O RFSL923AORRadiation Hardened,September 1997 SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETsFeatures Description 5A, -200V, rDS(ON) = 0.670 The Discrete Products Operation of Harris Semiconductorhas developed a series of Radiation Hardened MOSFETs Total Dosespecifically designed for commercial and military space- Meets Pre-RAD Specifications

 8.1. Size:54K  intersil
 fsl9230.pdf pdf_icon

FSL923AOD

FSL9230D,FSL9230R3A, -200V, 1.50 Ohm, Rad Hard,June 1998 SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETsFeatures Description 3A, -200V, rDS(ON) = 1.50 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD

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History: PMN70XPEA | PSMN1R7-25YLC | FSS130R | IXTC180N10T | PKE02BB | CED02N6A | IXTC200N075T

 

 
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