FSL923AOD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FSL923AOD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.67 Ohm

Тип корпуса: TO205AF

Аналог (замена) для FSL923AOD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSL923AOD даташит

 6.1. Size:47K  harris semi
 fsl923ao.pdf pdf_icon

FSL923AOD

FSL923AOD, S E M I C O N D U C T O R FSL923AOR Radiation Hardened, September 1997 SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs Features Description 5A, -200V, rDS(ON) = 0.670 The Discrete Products Operation of Harris Semiconductor has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs Total Dose specifically designed for commercial and military space - Meets Pre-RAD Specifications

 8.1. Size:54K  intersil
 fsl9230.pdf pdf_icon

FSL923AOD

FSL9230D, FSL9230R 3A, -200V, 1.50 Ohm, Rad Hard, June 1998 SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETs Features Description 3A, -200V, rDS(ON) = 1.50 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD

Другие IGBT... FSL9110D, FSL9110R, FSL9130D, FSL9130R, FSL913AOD, FSL913AOR, FSL9230D, FSL9230R, SPP20N60C3, FSL923AOR, FSS130D, FSS130R, FSS13AOD, FSS13AOR, FSS230D, FSS230R, FSS234D