AO4310 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO4310

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 36 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0031 Ohm

Encapsulados: SO-8

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AO4310 datasheet

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AO4310

AO4310 36V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 36V The AO4310 uses trench MOSFET technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 27A frequency switching performance.Power losses are RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:2160K  kexin
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AO4310

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET AO4310 (KO4310) SOP-8 Features VDS (V) = 36V ID = 27 A (VGS = 10V) RDS(ON) 3.1m (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 4.2m (VGS = 4.5V) 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source D D 8 Drain 4 Gate G G S S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 36

 9.1. Size:570K  aosemi
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AO4310

AO4314 36V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 36V The AO4314 uses trench MOSFET technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 20A frequency switching performance.Power losses are RDS(ON) (at VGS=10V)

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AO4310

AO4312 36V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 36V The AO4312 uses trench MOSFET technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 23A frequency switching performance.Power losses are RDS(ON) (at VGS=10V)

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