AO4310 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AO4310
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.6 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 36 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 27 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 16 nC
Время нарастания (tr): 4.8 ns
Выходная емкость (Cd): 1130 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0031 Ohm
Тип корпуса: SO-8
AO4310 Datasheet (PDF)
ao4310.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AO431036V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS36VThe AO4310 uses trench MOSFET technology that isuniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 27Afrequency switching performance.Power losses are RDS(ON) (at VGS=10V)
ao4310.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO4310 (KO4310)SOP-8 Features VDS (V) = 36V ID = 27 A (VGS = 10V) RDS(ON) 3.1m (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 4.2m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 SourceDD8 Drain4 GateGGSS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 36
ao4314.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AO431436V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS36VThe AO4314 uses trench MOSFET technology that isuniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 20Afrequency switching performance.Power losses are RDS(ON) (at VGS=10V)
ao4312.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AO431236V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS36VThe AO4312 uses trench MOSFET technology that isuniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 23Afrequency switching performance.Power losses are RDS(ON) (at VGS=10V)
ao4314.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO4314 (KO4314)SOP-8 Features VDS (V) = 36V1.50 0.15 ID = 20 A (VGS = 10V) RDS(ON) 6m (VGS = 10V) RDS(ON) 8.5m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDDGGSS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 36
ao4312.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO4312 (KO4312)SOP-8 Features VDS (V) = 36V ID = 23 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 4.5m (VGS = 10V) RDS(ON) 6.2m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 SourceDD8 Drain4 GateGGSS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 36
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: TPH1R306PL