AO4771 Todos los transistores

 

AO4771 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AO4771
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.068 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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AO4771 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:292K  aosemi
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AO4771

AO477130V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30VAO4771 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is ID (at VGS=-10V) -4Aprovided to facilitate the implementation of a bidirectional RDS(ON) (at VGS=-10V)

 ..2. Size:2239K  kexin
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AO4771

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO4771 (KO4771)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = -30V ID = -4 A (VGS = -10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 68m (VGS = -10V) RDS(ON) 105m (VGS = -4.5V)1 A 5 D2 A 6 D VDS (V) = 30V, IF = 4A, VF

 9.1. Size:289K  aosemi
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AO4771

AO477230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30VAO4772 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is ID (at VGS=10V) 6Aprovided to facilitate the implementation of a bidirectional RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AO4706 , AO4710 , AO4712 , AO4714 , AO4718 , AO4720 , AO4724 , AO4752 , STP65NF06 , AO4800 , AO4800B , AO4801 , AO4801A , AO4803 , AO4803A , AO4805 , AO4806 .

History: SLB80R380SJ | SPD03N50C3 | SSM3K37FS | PMT280ENEA | NCE60NP2012K | DK64N90F | AP80SL400AS

 

 
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