Справочник MOSFET. AO4771

 

AO4771 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO4771
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для AO4771

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4771 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:292K  aosemi
 ao4771.pdf pdf_icon

AO4771

AO477130V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30VAO4771 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is ID (at VGS=-10V) -4Aprovided to facilitate the implementation of a bidirectional RDS(ON) (at VGS=-10V)

 ..2. Size:2239K  kexin
 ao4771.pdf pdf_icon

AO4771

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO4771 (KO4771)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = -30V ID = -4 A (VGS = -10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 68m (VGS = -10V) RDS(ON) 105m (VGS = -4.5V)1 A 5 D2 A 6 D VDS (V) = 30V, IF = 4A, VF

 9.1. Size:289K  aosemi
 ao4772.pdf pdf_icon

AO4771

AO477230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30VAO4772 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is ID (at VGS=10V) 6Aprovided to facilitate the implementation of a bidirectional RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AO4706 , AO4710 , AO4712 , AO4714 , AO4718 , AO4720 , AO4724 , AO4752 , STP65NF06 , AO4800 , AO4800B , AO4801 , AO4801A , AO4803 , AO4803A , AO4805 , AO4806 .

History: JCS7N120ABA | AFN3430W | BSO204P | PMT280ENEA | BL6N70A-D | NCE60NP09S | NTMFS4121NT1G

 

 
Back to Top

 


 
.