AO4801A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO4801A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm

Encapsulados: SO-8

 Búsqueda de reemplazo de AO4801A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AO4801A datasheet

 ..1. Size:274K  aosemi
 ao4801a.pdf pdf_icon

AO4801A

 ..2. Size:1113K  kexin
 ao4801a.pdf pdf_icon

AO4801A

SMD Type MOSFET Dual P-Channel MOSFET AO4801A (KO4801A) SOP-8 Unit mm Features VDS (V) = -30V ID = -5 A (VGS = -10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 48m (VGS = -10V) RDS(ON) 57m (VGS = -4.5V) 1 S2 5 D1 RDS(ON) 80m (VGS = -2.5V) 6 D1 2 G2 7 D2 3 S1 8 D2 4 G1 D2 D1 G1 G2 S1 S2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Ratin

 8.1. Size:274K  aosemi
 ao4801.pdf pdf_icon

AO4801A

AO4801 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -30V The AO4801 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate ID (at VGS=-10V) -5A voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.2. Size:1538K  kexin
 ao4801.pdf pdf_icon

AO4801A

SMD Type MOSFET Dual P-Channel MOSFET AO4801 (KO4801) SOP-8 Unit mm Features VDS (V) = -30V ID = -5 A (VGS = -10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 48m (VGS = -10V) RDS(ON) 57m (VGS = -4.5V) RDS(ON) 80m (VGS = -2.5V) 1 S2 5 D1 6 D1 2 G2 7 D2 3 S1 8 D2 4 G1 D2 D1 G2 G1 S2 S1 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating U

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AO4718, AO4720, AO4724, AO4752, AO4771, AO4800, AO4800B, AO4801, IRFB7545, AO4803, AO4803A, AO4805, AO4806, AO4807, AO4812, AO4813, AO4815