AO4818B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO4818B  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm

Encapsulados: SO-8

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AO4818B datasheet

 ..1. Size:299K  aosemi
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AO4818B

AO4818B 30V Dual N-channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V The AO4818B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This ID (at VGS=10V) 8A device is suitable for use as a load switch or in PWM RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:2038K  kexin
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AO4818B

SMD Type MOSFET Dual N-Channel MOSFET AO4818B (KO4818B) SOP-8 Unit mm Features VDS (V) = 30V ID = 8A (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 19m (VGS = 10V) RDS(ON) 26m (VGS = 4.5V) 1 S2 5 D1 ESD Rating 2KV HBM 6 D1 2 G2 7 D2 3 S1 8 D2 4 G1 D1 D2 G1 G2 S1 S2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source

 8.1. Size:207K  aosemi
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AO4818B

AO4818 30V Dual N-channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V The AO4818 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is ID (at VGS=10V) 8A suitable for use as a load switch or in PWM applications. RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:1430K  kexin
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AO4818B

SMD Type MOSFET Dual N-Channel MOSFET AO4818 (KO4818) SOP-8 Unit mm Features VDS (V) = 30V ID = 8A (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 19m (VGS = 10V) RDS(ON) 23m (VGS = 4.5V) 1 S2 5 D1 ESD Rating 2KV HBM 6 D1 2 G2 7 D2 3 S1 8 D2 4 G1 D1 D2 G1 G2 S1 S2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Sourc

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