Справочник MOSFET. AO4818B

 

AO4818B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AO4818B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для AO4818B

 

 

AO4818B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:299K  aosemi
 ao4818b.pdf

AO4818B AO4818B

AO4818B30V Dual N-channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30VThe AO4818B uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. This ID (at VGS=10V) 8Adevice is suitable for use as a load switch or in PWM RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:2038K  kexin
 ao4818b.pdf

AO4818B AO4818B

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4818B (KO4818B)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 30V ID = 8A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 19m (VGS = 10V) RDS(ON) 26m (VGS = 4.5V)1 S2 5 D1 ESD Rating: 2KV HBM6 D12 G27 D23 S18 D24 G1D1 D2G1 G2S1 S2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source

 8.1. Size:207K  aosemi
 ao4818.pdf

AO4818B AO4818B

AO481830V Dual N-channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30VThe AO4818 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) and low gate charge. This device is ID (at VGS=10V) 8Asuitable for use as a load switch or in PWM applications. RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:1430K  kexin
 ao4818.pdf

AO4818B AO4818B

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4818 (KO4818)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 30V ID = 8A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 19m (VGS = 10V) RDS(ON) 23m (VGS = 4.5V)1 S2 5 D1 ESD Rating: 2KV HBM6 D12 G27 D23 S18 D24 G1D1D2G1G2S1S2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Sourc

 8.3. Size:879K  cn vbsemi
 ao4818.pdf

AO4818B AO4818B

AO4818www.VBsemi.twDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFETPower MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested0.016 at VGS = 10 V 8.5 100 % UIS Tested30 7.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.020 at VGS = 4.5 V 7.6APPLICATIONS Notebook System Power Low Current DC/DCD 1 D 2 SO-8 S D

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SFS06R02PF

 

 
Back to Top