AO4862 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO4862

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 1.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: SO-8

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AO4862 datasheet

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AO4862

AO4862 30V Dual N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 4.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AO4862

SMD Type MOSFET Dual N-Channel MOSFET AO4862 (KO4862) SOP-8 Unit mm Features VDS (V) = 30V 1.50 0.15 ID = 4.5A (VGS = 10V) RDS(ON) 50m (VGS = 10V) 1 S2 5 D1 RDS(ON) 68m (VGS = 4.5V) 6 D1 2 G2 7 D2 3 S1 8 D2 4 G1 G1 G2 D1 D2 S1 S2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-

 0.1. Size:334K  aosemi
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AO4862

AO4862E 30V Dual N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 4.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AO4830, AO4832, AO4838, AO4840, AO4842, AO4850, AO4852, AO4854, IRFB4110, AO4882, AO4884, AO4886, AO4892, AO4914, AO4922, AO4924, AO4932