Справочник MOSFET. AO4862

 

AO4862 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO4862
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для AO4862

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4862 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:403K  aosemi
 ao4862.pdf pdf_icon

AO4862

AO486230V Dual N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 4.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:986K  kexin
 ao4862.pdf pdf_icon

AO4862

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4862 (KO4862)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 30V1.50 0.15 ID = 4.5A (VGS = 10V) RDS(ON) 50m (VGS = 10V)1 S2 5 D1 RDS(ON) 68m (VGS = 4.5V)6 D12 G27 D23 S18 D24 G1G1 G2D1 D2S1 S2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30V Gate-

 0.1. Size:334K  aosemi
 ao4862e.pdf pdf_icon

AO4862

AO4862E30V Dual N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 4.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AO4830 , AO4832 , AO4838 , AO4840 , AO4842 , AO4850 , AO4852 , AO4854 , IRF640N , AO4882 , AO4884 , AO4886 , AO4892 , AO4914 , AO4922 , AO4924 , AO4932 .

History: IXTH22N50P

 

 
Back to Top

 


 
.