AO4862 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AO4862  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AO4862

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4862 даташит

 ..1. Size:403K  aosemi
 ao4862.pdf pdf_icon

AO4862

AO4862 30V Dual N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 4.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:986K  kexin
 ao4862.pdf pdf_icon

AO4862

SMD Type MOSFET Dual N-Channel MOSFET AO4862 (KO4862) SOP-8 Unit mm Features VDS (V) = 30V 1.50 0.15 ID = 4.5A (VGS = 10V) RDS(ON) 50m (VGS = 10V) 1 S2 5 D1 RDS(ON) 68m (VGS = 4.5V) 6 D1 2 G2 7 D2 3 S1 8 D2 4 G1 G1 G2 D1 D2 S1 S2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-

 0.1. Size:334K  aosemi
 ao4862e.pdf pdf_icon

AO4862

AO4862E 30V Dual N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 4.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AO4830, AO4832, AO4838, AO4840, AO4842, AO4850, AO4852, AO4854, 2N7002, AO4882, AO4884, AO4886, AO4892, AO4914, AO4922, AO4924, AO4932