AO4892 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AO4892
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.068 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AO4892

AO4892 Datasheet (PDF)

..1. Size:344K aosemi
ao4892.pdf

AO4892100V Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AO4892 uses trench MOSFET technology that is 100Vuniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 4Afrequency switching performance. Both conduction and RDS(ON) (at VGS=10V)

..2. Size:1280K kexin
ao4892.pdf

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4892 (KO4892)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 100V ID = 4A (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 68m (VGS = 10V) RDS(ON) 94m (VGS = 4.5V)1 S2 5 D1 6 D12 G27 D23 S18 D24 G1D1 D2G1 G2S1 S2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 100V Gate-S

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: