AO4892. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AO4892

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AO4892

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4892 даташит

 ..1. Size:344K  aosemi
 ao4892.pdf pdf_icon

AO4892

AO4892 100V Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS The AO4892 uses trench MOSFET technology that is 100V uniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 4A frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:1280K  kexin
 ao4892.pdf pdf_icon

AO4892

SMD Type MOSFET Dual N-Channel MOSFET AO4892 (KO4892) SOP-8 Unit mm Features VDS (V) = 100V ID = 4A (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 68m (VGS = 10V) RDS(ON) 94m (VGS = 4.5V) 1 S2 5 D1 6 D1 2 G2 7 D2 3 S1 8 D2 4 G1 D1 D2 G1 G2 S1 S2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-S

Другие IGBT... AO4842, AO4850, AO4852, AO4854, AO4862, AO4882, AO4884, AO4886, IRFB4227, AO4914, AO4922, AO4924, AO4932, AO4938, AO4940, AO4948, AO4952