AO4932 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AO4932 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO4932

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12(20) V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11(8) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.4(3.5) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 128(110) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125(0.019) Ohm

Encapsulados: SO-8

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AO4932 datasheet

..1. Size:497K aosemi
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AO4932 Asymmetric Dual N-Channel MOSFET SRFET TM General Description Product Summary The AO4932 uses advanced trench technology to provide FET1(N-Channel) FET2(N-Channel) excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs VDS= 30V 30V make a compact and efficient switch and synchronous ID= 11A (VGS=10V) 8A (VGS=10V) rectifier combination for use in DC-DC converters. A RDS(ON)

..2. Size:2404K kexin
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SMD Type MOSFET Dual N-Channel MOSFET AO4932 (KO4932) SOP-8 Unit mm Features N-Channel 1 VDS (V) = 30V ID = 11 A (VGS = 10V) 0.15 1.50 RDS(ON) 12.5m (VGS = 10V) RDS(ON) 15m (VGS = 4.5V) 1 D2 5 S2/D1 6 S2/D1 2 D2 SRFETTM Soft Recovery MOSFET Integrated Schottky Diode 7 S2/D1 3 G1 N-Channel 2 8 G2 4 S1 VDS (V) = 30V ID = 8 A

9.1. Size:615K aosemi
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AO4938 30V Dual N-Channel MOSFET TM SRFET TM SRFET General Description Product Summary The AO4938 uses advanced trench technology to provide FET1(N-Channel) FET2(N-Channel) excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs VDS= 30V 30V make a compact and efficient switch and synchronous ID= 8.8A (VGS=10V) 8A (VGS=10V) rectifier combination for use in DC-DC converters. A RD

9.2. Size:2594K kexin
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SMD Type MOSFET Dual N-Channel MOSFET AO4938 (KO4938) SOP-8 Unit mm Features N-Channel 1 VDS (V) = 30V 1.50 0.15 ID = 8.8 A (VGS = 10V) RDS(ON) 16m (VGS = 10V) RDS(ON) 22m (VGS = 4.5V) 1 D2 5 S2/D1 6 S2/D1 2 D2 SRFETTM Soft Recovery MOSFET Integrated Schottky Diode 7 S2/D1 3 G1 8 G2 N-Channel 2 4 S1 VDS (V) = 30V ID = 8 A (

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