AO4932 Todos los transistores

 

AO4932 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AO4932
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12(20) V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11(8) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.4(3.5) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 128(110) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125(0.019) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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AO4932 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:497K  aosemi
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AO4932

AO4932Asymmetric Dual N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryThe AO4932 uses advanced trench technology to provide FET1(N-Channel) FET2(N-Channel)excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETsVDS= 30V 30Vmake a compact and efficient switch and synchronous ID= 11A (VGS=10V) 8A (VGS=10V)rectifier combination for use in DC-DC converters. A RDS(ON)

 ..2. Size:2404K  kexin
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AO4932

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4932 (KO4932)SOP-8 Unit:mm FeaturesN-Channel 1 VDS (V) = 30V ID = 11 A (VGS = 10V) 0.151.50 RDS(ON) 12.5m (VGS = 10V) RDS(ON) 15m (VGS = 4.5V)1 D2 5 S2/D1 6 S2/D12 D2SRFETTM Soft Recovery MOSFET:Integrated Schottky Diode7 S2/D13 G1N-Channel 28 G24 S1 VDS (V) = 30V ID = 8 A

 9.1. Size:615K  aosemi
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AO4932

AO493830V Dual N-Channel MOSFETTMSRFET TM SRFETGeneral Description Product SummaryThe AO4938 uses advanced trench technology to provide FET1(N-Channel) FET2(N-Channel)excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETsVDS= 30V 30Vmake a compact and efficient switch and synchronous ID= 8.8A (VGS=10V) 8A (VGS=10V)rectifier combination for use in DC-DC converters. A RD

 9.2. Size:2594K  kexin
 ao4938.pdf pdf_icon

AO4932

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4938 (KO4938)SOP-8 Unit:mm FeaturesN-Channel 1 VDS (V) = 30V1.50 0.15 ID = 8.8 A (VGS = 10V) RDS(ON) 16m (VGS = 10V) RDS(ON) 22m (VGS = 4.5V)1 D2 5 S2/D1 6 S2/D12 D2SRFETTM Soft Recovery MOSFET:Integrated Schottky Diode7 S2/D13 G18 G2N-Channel 2 4 S1 VDS (V) = 30V ID = 8 A (

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History: SST202 | NCE85H21TC | STD5NK50Z | UT8205AL-S08-R

 

 
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